单轴应变SOI晶圆应力与应变的有限元分析

摘要：

本文提出了一种通过机械弯曲和退火工艺制作单轴应变SOI晶圆的新方法,其特点是工艺简单、成本低、因变量高.工艺原理分析表明,其应变是由于SiO2埋绝缘层在弯曲退火是发生的塑性形变所致.采用ANSYS软件,对不同弯曲半径下机械致单轴应变SOI晶圆不同方向的应力与应变进行了模拟分析.模拟结果表明,应力与应变分布是单轴的,且沿弯曲方向的应力与应变要远大于垂直弯曲方向.ANSYS模拟结果与光纤光栅测量结果吻合一致,证明了ANSYS拟的准确性.

关键词： 半导体材料 单轴应变SOI晶圆 机械弯曲工艺 退火工艺 塑性变形 应力分布

作者: 杨源 戴显英 邵晨峰 郝跃

作者单位: 西安电子科技大学微电子学院,陕西 西安 710071;宽带隙半导体技术国家重点学科实验室,陕西 西安,710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 35-40

在线出版日期: 2014-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）