双轴应变Ge价带结构与空穴有效质量特性研究

摘要：

基于k·p微扰理论,通过引入应变哈密顿量作为微扰,建立了适于任意晶向的双轴应变Ge价带色散关系模型.计算结果表明,应变Ge/Si1-xGex价带带边空穴有效质量随Ge组分的增加而减小,其各向异性比弛豫Ge更加显著.

关键词： 半导体材料 双轴应变锗 价带结构 空穴有效质量 k·p理论

作者: 徐斯元 戴显英 杨程 郝跃

作者单位: 西安电子科技大学微电子学院,陕西 西安 710071;宽带隙半导体技术国家重点学科实验室,陕西 西安,710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 41-46

在线出版日期: 2014-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）