热氧化对6H-SiC少子寿命的影响研究

摘要：

少子寿命是反映半导体材料质量和器件特性非常重要的参数之一,在改善SiC双极功率器件的通态和开关特性方面起到了至关重要的作用.本文利用微波光电导衰减(μ-PCD)法测试不同氧化工艺处理的6H-SiC样品的少子寿命,对实验结果进行了详细的讨论,分析了热氧化对SiC少子寿命的影响,结果表明,在相同的氧化时间下,氧化温度越高对少数载流子寿命的改善越明显,而在相同的氧化温度下,氧化时间越长,少子寿命值则越大.

关键词： 半导体材料 碳化硅 少子寿命 热氧化工艺

作者: 周婷 张玉明 元磊 宋庆文 汤晓燕

作者单位: 西安电子科技大学宽带隙半导体技术国防重点学科实验室,陕西 西安 710071 西安电子科技大学 宽带隙半导体技术国防重点学科实验室,陕西 西安 710071;西安电子科技大学 先进材料与纳米科技学院,陕西 西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 81-84

在线出版日期: 2014-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）