质子辐照对InP/InGaAs异质结界面态的影响

摘要：

本文进行了InP和InGaAs异质结结构的质子辐照实验,辐照能量为3MeV和10MeV,注量为5×1011p/cm2和1×1012p/cm2.比较了质子辐照前后InP和InGaAs异质结结构的I-V和C-V特性.I-V测试结果表明:质子辐照后正向电流变大,反向特性变差.基于变频C-V测试结果计算了辐照前后该结构的界面态密度,计算结果表明:相同的辐照能量(3MeV)条件下,界面态密度随辐照注量增加而变大;相同的注量(1×1012p/cm2)条件下,低的辐照能量导致更多的界面态.

关键词： 异质结双极型晶体管 磷化铟 砷化铟镓 界面态 质子辐照

作者: 李成欢 吕红亮 张玉明 张义门 刘敏

作者单位: 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西 西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 85-90

在线出版日期: 2014-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）