单MESA结构的4H-SiC PiN二级管制造

摘要：

利用改进的刻蚀工艺实现了无微沟槽、侧壁近似垂直的刻蚀台面形貌,并在此基础上制造了单MESA结构的4H-SiC PiN二级管.器件外延的漂移层厚度为15μm.直流测试结果显示,器件的开态串联电阻很小,开启前的电流输运主要来自于复合电流.反向最大阻断电压1565V.大尺寸器件(MESA管芯面积2.5mm2)的可实现最大品质因数2224 MW/cm2,达到了目前国内报道的SiC PiN二级管特性的最好结果.

关键词： PIN二级管 碳化硅 MESA结构 刻蚀工艺

作者: 韩超 张玉明 张义门 汤晓燕 宋庆文 刘长道

作者单位: 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西 西安 710071 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西 西安 710071;西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院,陕西 西安 710071 国家电网临沂供电公司,山东 临沂 276700

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 91-95

在线出版日期: 2014-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）