栅覆盖源漏区对TFET性能的影响
隧穿场效应晶体管Tunnel field-Effect Transistorld(TFET)因电子在能带间发生隧穿而形成电流,其开关速度不受温度和掺杂浓度的影响,同时在低工作电压的时候,其Ion/Ioff之比金属场效应管高,亚阈值摆幅Sub-holdswing性能就会得到提升,基于以上功能TFET可用于低功耗和高速集成电路.本文从大量不同结构的TFET器件仿真和研究分析出发,利用双栅结构的TFET器件,通过栅对源漏区的覆盖,研究栅对开关电流和亚阈值摆幅的影响.通过将栅分别延伸至源和漏区进行仿真分析，通过采用高K绝缘栅介质，得到关于栅的覆盖位置对TFET器件性能的影响情况。栅覆盖漏区的时候，由于增大在沟道中间的隧穿几率和隧穿面积，从而其双极电流就会增大。当栅源覆盖面加大后，在氧化层下方的隧穿面积变大，隧穿路径变短，所以隧穿电流也就变大，且使得Ion/Ioff之比变大，从而器件的Savg特性得到提升.
隧穿效应晶体管 双栅结构 亚阈值摆幅 双极电流
蒋智 庄奕琪 李聪 王萍
西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西西安710071
国内会议
西安
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102-107
2014-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）