4H-SiC浮动结SBD反向恢复电荷解析模型

摘要：

SiC浮动结(floating junction,FJ)SBD相对于常规SiC SBD具有更高的功率优值.本文利用二维数值仿真软件ISE-Dessis仿真研究了4H-SiC FJ SBD的反向恢复特性,4H-SiC FJ-SBD的反向恢复电荷与正向导通电流无关，反向恢复机制与传统SiCSBD相同，反向恢复电荷与全部来源于肖特基接触和P型埋层产生耗尽层消耗的载流子的电荷量。根据仿真结果，本文给出了当耗尽层没有达到P型埋层时和耗尽层到达P型埋层以后时的反向恢复电荷解析模型，仿真结果与解析模型基本吻合.

关键词： 半导体材料 碳化硅 浮动结 反向恢复特性 电荷解析模型

作者: 杨帅 张玉明 宋庆文 汤晓燕 张艺蒙

作者单位: 西安电子科技大学宽带隙半导体技术国防重点学科实验室,陕西 西安 710071 西安电子科技大学 宽带隙半导体技术国防重点学科实验室,陕西 西安 710071;西安电子科技大学 先进材料与纳米科技学院,陕西 西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 148-151

在线出版日期: 2014-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）