AlGaN/GaN HEMT器件反向栅泄漏电流机理研究

摘要：

本文研究了AlGaN/GaN HEMT器件在温度范围298k到473k内栅极反向泄漏电流的产生机理.实验结果表明,在所选温度范围内,栅泄漏电流所展现的特性规律符合预期的Frenkel-Poole发射模型.分析所得的反向栅极泄漏电流的特性表明了其主要机理是泄漏电子从陷阱能级发射进入连续的导电能级,陷阱能级势垒高度为0.31eV.在研究反向漏电的导电过程，认为是电流从金属电极出发，通过接近于费米能级的陷阱能级进入连续的导电能级。

关键词： 场效应晶体管 氮化镓 氮化铝镓 反向栅 泄漏电流 导电能级

作者: 范爽 郑雪峰 孙伟伟

作者单位: 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西西安 701171

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 152-155

在线出版日期: 2014-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）