AlGaN/GaN HEMTs阶跃应力可靠性研究

摘要：

本文研究了阶跃应力下AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的退化机制.实验表明在临界电压之前应力电流在每一步阶开始时均表现出过冲现象,超过临界电压应力电流出现噪声特性并突然增大.笔者认为由于高场作用陷阱会在势垒层中随即产生,但是一旦超过临界电压,逆压电效应会导致陷阱密度的急剧增加.过多的陷阱会在势垒层中形成漏电通道并导致AlGaN/GaN HEMTs的永久退化.

关键词： 场效应晶体管 氮化镓 氮化铝镓 逆压电效应 阶跃应力 可靠性

作者: 陈伟伟 侯斌 祝杰杰 霍瑞斌 刘影 马晓华

作者单位: 西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院,陕西西安 710071;西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西 西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 156-159

在线出版日期: 2014-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）