限制电流对RRAM器件阻变特性的影响

摘要：

本文研究了Ti/ZrO2/Pt阻变存储器的双极转变特性.氧空位组成的导电细丝的形成和断裂是产生电阻转变特性的主要机制.器件低阻态和高阻态电流传导机制分别为:欧姆导电机制和陷阱控制的空间电荷限制电流机制.在此基础上,对SET过程限制电流对器件转变参数的影响进行了研究:双对数坐标下,低阻态电阻、RESET电流与SET限制电流均呈线性关系;SET和RESET电压随着SET限制电流增加而略有增加.最后利用串联电路模型解释SET限流对器件转变特性的影响.

关键词： 阻变存储器 电阻转变特性 导电细丝 限制电流

作者: 雷晓艺 刘红侠 高海霞 王国明 马晓华

作者单位: 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件重点实验室,陕西 西安 710071 北京中国科学院微电子所纳米加工与新器件机场技术实验室,北京 100029

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 160-163

在线出版日期: 2014-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）