正栅压偏置下增强型AlGaN/GaN HEMT器件的退化机理研究

摘要：

文中通过对器件栅极施加正向直流电压应力,研究F离子注入增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件在正向栅偏置下的退化机制.实验结果与Ma Chenyue等人报道的只有栅极正向电压超过一个临界值(VGC)才会产生退化的情况不同,在本实验中在栅极上施加一个很小的正向直流电压应力时,阈值电压也发生了退化.结合其他特性参数的退化情况的分析,提出了陷阱作用与碰撞电离共同作用的退化机制.

关键词： 场效应晶体管 氮化镓 氮化铝镓 正向栅偏置 直流电压应力 陷阱作用 碰撞电离

作者: 孙伟伟 郑雪峰 范爽

作者单位: 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西 西安 701171

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 184-187

在线出版日期: 2014-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）