4H-SiC PiN二极管热阻和热退化现象的仿真分析

摘要：

碳化硅(SiC)具有优越的材料性能,在高温、高频、大功率器件领域有广阔的应用前景,是近年来国际半导体领域研究热点之一.本文首先通过Ansys14.0模拟的方法建立热分析模型,研究了影响4H-SiC PiN热阻的因素,分析了增加器件面积或减小器件和粘结层厚度可以有效地降低器件热阻,有助于器件热量耗散,从而达到提高器件热可靠性的目的.最后结合Sentaurus TCAD数值模拟软件建立热力学模型进行电热仿真,得出环境温度越高,器件截面产生有越大的热通量促使温度升高,器件内外温度梯度越小,热耗散越不容易进行而导致电流加剧退化的结论.

关键词： PIN二极管 碳化硅 热阻值 热退化现象

作者: 李家昌 宋庆文 张艺蒙 汤晓燕 张玉明

作者单位: 西安电子科技大学宽带隙半导体技术国防重点学科实验室,陕西西安 710071 西安电子科技大学宽带隙半导体技术国防重点学科实验室,陕西西安 710071;西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院,陕西西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 193-196

在线出版日期: 2014-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）