具有p型板的4H-SiC MESFET

摘要：

本文提出了一种具有p型板的4H-SiC MESFET(PP-MESFET),利用栅漏漂移区上的p型板结构引入了减小表面场技术.p型板与n型沟道形成的pn结产生了垂直耗尽区,通过与沟道水平耗尽区结合,调制了表面电场分布,栅边缘漏侧电场峰值减小,提高了器件的击穿电压.通过二维数值仿真,得到器件的击穿电压比传统结构(C-MESFET)提升近18％,最大功率密度提升30％.

关键词： 金属-半导体场效应晶体管 p型板结构 击穿电压 最大功率密度

作者: 孙哲霖 裴晓延 贾护军

作者单位: 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 197-200

在线出版日期: 2014-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）