具有多凹陷源/漏漂移区的双凹栅4H-SiC MESFET

摘要：

本文提出了一种具有多凹陷源/漏漂移区的双凹栅4H-SiC MESFET器件结构.仿真结果表明,具有多凹陷源/漏漂移区的双凹栅4H-SiC MESFET饱和漏极电流比传统结构大18.8％,并且击穿电压从传统结构的96 V提高到143 V,增幅约为49％.最大输出功率密度达到5.53 W/mm,远大于传统结构的2.88 W/mm.而多凹陷源/漏漂移区的存在阻止栅下耗尽区向两侧扩展,最终使电容特性提高.因此,与传统结构相比,具有多凹陷源/漏漂移区的双凹栅4H-SiC MESFET的直流和射频特性更具优势.

关键词： 金属-氧化物-半导体器件 碳化硅 双凹栅结构 漏漂移区 漏极电流 击穿电压

作者: 裴晓延 孙哲霖 贾护军

作者单位: 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西 西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 201-205

在线出版日期: 2014-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）