会议专题

CMOS兼容硅纳米线阵列制备及其光电特性研究

文中基于各向异性湿法腐蚀技术的硅纳米线加工技术,采用传统的光刻、刻蚀和沉积技术,利用Si(111)面的自停止腐蚀和硅纳米线的自限制氧化特性,成功地实现了硅纳米线的制造.该方法工艺简单,可控性强,特别适合批量制造的需要.制造的纳米结构尺度均一,工艺重复性好,具有优异的调制特性,易于集成和制作硅纳米器件.在此基础上,研究了硅纳米线的光电响应特性,响应度与加载电压的关系表明,随源漏电压的增大,器件的响应度逐渐减小,当栅极偏压小于10V时,电流响应度近似于线性增长,而偏压高于10V时,响应度趋于饱和.

半导体材料 硅纳米线 制备工艺 光电响应特性

高安然 戴鹏飞 鲁娜 王跃林 李铁

中科院上海微系统与信息技术研究所微系统技术国家实验室传感技术联合国家重点实验室,上海200050

国内会议

第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

西安

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206-211

2014-06-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)