基于改善InGaP/GaAs自热效应的复合管设计

摘要：

文中根据负反馈补偿原理,针对InGaP/GaAs HBT的自热效应,设计了改善其自热效应的复合管结构.仿真结果表明,InGaP/GaAs HBT复合管的自热效应得到了有效的抑制,改善了晶体管输出的非线性,稳定了直流工作点,简化了RF和微波电路的直流偏置设计.

关键词： 异质结双极型晶体管 磷化铟镓 砷化镓 结构设计 自热效应

作者: 禹雷 吕红亮 张玉明 张义门 张金灿 刘敏

作者单位: 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 218-222

在线出版日期: 2014-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）