一种低损耗JFET控制槽栅IGBT

摘要：

为了优化功率开关器件导通压降与关断损耗的折衷关系,提出了一种低损耗JFET控制槽栅IGBT,即J-TIGBT.器件正向工作在闩锁状态,增强了阴极侧的电导调制效应,能有效减小器件导通电阻.随着阳极电压的增大,内部寄生的JFET将起到调节电流的作用,能够减小器件的饱和电流.而阴极侧存储的少子在关断过程中能够被电场快速抽取,从而减小关断损耗.同传统槽栅IGBT相比,J-TIGBT的导通压降降低了1.05V,饱和电流降低了33.8％,关断损耗减小了45.9％,关断时间降低了66％.

关键词： 绝缘栅双极型晶体管 结构设计 结型场效应晶体管 导通压降 关断损耗

作者: 肖琨 陈万军 程武 杨骋 王珣阳 张波

作者单位: 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054;东莞电子科技大学电子信息工程研究院,东莞 523808 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 223-226

在线出版日期: 2014-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）