用于三维集成电路的硅通孔互连高频电学模型

摘要：

为准确分析应用于三维集成电路中硅通孔(Through Siliocn Via,TSV)的高频电学特性,本文在考虑TSV MOS效应的基础上,对提取TSV寄生参数的解析模型做了频率项修正.采用仿真工具分别验证了上述解析模型的精度.仿真结果显示,本文提出的TSV高频电学解析模型与仿真结果吻合度较高,对设计高频三维立体集成电路,解决TSV互连引起的信号完整性问题一定指导意义.

关键词： 三维集成电路 硅通孔 高频电学特性 电学模型 金属-氧化物-半导体型场效应管

作者: 单光宝 刘松 杜欣荣

作者单位: 西安微电子技术研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 240-244

在线出版日期: 2014-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）