基于MCM-D工艺的叠层芯片互连工艺研究
文中基于MCM-D薄膜工艺开展了层叠芯片互连装配技术相关的芯片层叠,低弧度细节距金丝键合等工艺技术研究.采用单组分绝缘胶，解决了悬垂型层叠结构层间芯片和垫片粘接问题;采用SSB反向键合方式实现了低弧度键合问题，键合丝拱丝高度控制在100μm以下，解决了芯片层叠间隙中的键合问题，实现了叠层芯片达四层的层叠封装结构。通过解决层叠芯片关键技术问题，结合开发的凸点倒扣焊工艺、LTCC多层基板基板工艺以及薄膜内埋置多层布线工艺，通过设计和仿真，制备出系统级封装工艺样品，电性能和可靠性均达到设计要求.
叠层芯片 互连装配技术 层叠封装结构 高密度键合工艺 薄膜多层布线工艺
谢廷明 杨立功
中国电子科技集团第二十四研究所,重庆 400060
国内会议
西安
中文
245-249
2014-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）