4H-SiC高压肖特基二极管研制
本文采用多重场限环终端实现了一种高压4H-SiC肖特基二极管.基于Medici仿真计算结果、利用两环简化模型结构,给出了耐压6000V终端结构各个场限环之间的优化间距.终端整体仿真结果表明该优化结构通过将耗尽区边界扩展,很好的抑制了结边缘部分的电场集中效应,击穿时所有场限环的峰值电场基本相同,达到了优化设计的目的.通过流片验证,采用该终端结构设计的4H-SiC肖特基势垒二极管击穿电压大于5500V,达到理想值的90％以上,充分验证了该终端设计方法的可行性.
肖特基势垒二极管 碳化硅 结构设计 多重场限环 击穿电压
王勇 王永维 张志国 李佳 崔占东 吴洪江
中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051
国内会议
西安
中文
250-256
2014-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）