一种基于CMOS工艺的双栅硅纳米线场效应管

摘要：

本文介绍了一种基于传统CMOS工艺,设计并制造的以硅纳米线为导电沟道、同时具有正栅和背栅结构的双栅场效应管.笔者通过对不同栅压下该器件沟道电流变化的测量分析,深入研究了场效应管的电学性能,结果表明,该器件的沟道电流变化率与其工作电压密切相关,可通过控制栅压增加此类器件传感器的灵敏度.

关键词： 双栅场效应管 硅纳米线 互补金属氧化物半导体工艺 电学性能

作者: 戴鹏飞 高安然 王跃林 李铁

作者单位: 中科院上海微系统与信息技术研究所微系统技术国家实验室,传感技术国家重点实验室,上海200050

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 257-260

在线出版日期: 2014-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）