磁隧道结中MgO薄膜厚度与其晶化质量的关系

摘要：

采用磁控溅射(magnetron sputtering)方法生长了磁隧道结结构,通过溅射不同厚度的MgO薄膜探索提高MgO晶化质量的方法.利用X射线衍射(XRD)分析发现,在同一条件下溅射生长MgO薄膜均在42.5°出现衍射峰,不同厚度的MgO薄膜衍射得到的峰强是不同的,即得到的晶化质量不同.对样品同时进行400℃真空退火,退火后MgO薄膜晶化质量有一定的改善,MgO薄膜厚度越大,改善程度越大.

关键词： 半导体材料 氧化镁薄膜 硅衬底 磁控溅射法 磁隧道结 晶化质量

作者: 娄永乐 张玉明 徐大庆 郭辉 张义门

作者单位: 西安电子科技大学微电子学院,陕西 西安 710071 西安科技大学电气控制学院,陕西 西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 261-264

在线出版日期: 2014-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）