利用自对准硬掩膜版制备石墨烯场效应管

摘要：

本文介绍了一种利用自对准硬掩膜版制备石墨烯场效应管的方法.自对准掩膜版由MEMS工艺制成.利用此硬掩膜版,可以避免在场效应管电极制备过程中的光刻,从而减小光刻胶对石墨烯的污染.测试表明,器件栅压对石墨烯电学性能有调制作用,器件中石墨烯呈现p型掺杂,迁移率为261 cm2/V*s.此器件制备方法工艺简单,成本低廉,有利于将来石墨烯电子器件的大规模应用.

关键词： 场效应管 石墨烯 金属沉积工艺 自对准硬掩膜版

作者: 梁晨 周玉修 王文荣 王跃林 李铁

作者单位: 中科院上海微系统与信息技术研究所微系统技术国家实验室,传感技术联合国家重点实验室,上海200050

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 265-268

在线出版日期: 2014-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）