SiC刻蚀工艺研究及其对BJT击穿电压的影响

摘要：

改变ICP刻蚀系统中的线圈功率和SF6/O2反应气体含量比,通过台阶仪和SEM对SiC材料刻蚀后的深度和侧壁表面情况进行了研究.实验结果显示,当线圈功率和SF6/O2反应气体含量比分别为850W和24 sccm/6sccm时刻蚀速率及表面情况最优.利用软件仿真得到了不同刻蚀深度对SiC BJT击穿电压的影响,其中基区台面刻蚀深度决定了器件的穿通电压,而隔离槽刻蚀深度影响器件边缘的电场分布.

关键词： 双极型晶体管 碳化硅 干法刻蚀工艺 刻蚀深度 击穿电压

作者: 元磊 张玉明 张义门 宋庆文 汤晓燕

作者单位: 西安电子科技大学微电子学院,西安710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 281-285

在线出版日期: 2014-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）