大功率P沟道VDMOS器件设计与工艺仿真

摘要：

本文分析了P沟道VDMOS器件的元胞结构参数与设计指标之间关系.采用Silvaco的Atlas模块对该器件的元胞结构参数和电学性能进行模拟和优化,并根据实际情况确定了器件元胞的最佳结构参数.基于这些的仿真结果,利用Silvaco的Athena模块建立了P沟道VDMOS器件模型,同时开发了该器件的工艺参数和流程.最后通过仿真得到所设计器件的击穿电压超过-200V,阈值电压为-4.1V,完全满足了设计要求.

关键词： 金属-氧化物-半导体器件 结构设计 自对准工艺 击穿电压 导通电阻 阈值电压

作者: 蒲石 杜林 张得玺

作者单位: 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西 西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 292-296

在线出版日期: 2014-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）