氮掺杂对于N型6H-SiC氧化速率的影响

摘要：

基于修改的Deal-Grove模型和Arrhenius方程,通过提取氧化的线性速率常数和抛物线速率常数以及它们分别对应的活化能,研究了不同氮掺杂浓度对n型6H-SiC干氧氧化速率的影响.实验结果表明:除了温度,掺杂浓度的增加也可以增大氧化速率;线性和抛物线速率常数以及它们对应的活化能和指前因子都随着掺杂浓度的增加而增大.提出一种新的结论,利用提取出的Arrhenius活化能的变化来解释掺杂提高氧化速率是不合理的.

关键词： 半导体材料 碳化硅 氧化速率 活化能 氮浓度

作者: 赵亚秋 郭辉 张玉明 凌显宝

作者单位: 西安电子科技大学微电子学院,陕西,西安 710071 西安电子科技大学微电子学院,陕西,西安 710071;西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西 西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 297-301

在线出版日期: 2014-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）