基于Grove理论与分立流密度机制的锗硅生长速率模型

摘要：

文章根据Si1-xGex(锗硅)合金的CVD(化学气相淀积)生长特性和Grove理论,提出了Si1-xGex合金的生长分立流密度机制.基于分立流密度机制,从Fick第一定律出发,建立了Si1-xGex合金材料的CVD生长速率模型.模型同时考虑了气相传输与表面反应两种生长控制机制,不仅适于低温Si1-xGex合金生长的表征,也适于高温Si1-xGex合金生长的表征.

关键词： 半导体材料 锗硅合金 化学气相淀积法 生长速率模型 分立流密度机制 Grove理论

作者: 李津南 戴显英 金国强 郝跃

作者单位: 西安电子科技大学微电子学院, 陕西西安710071;宽带隙半导体技术国家重点学科实验室,陕西西安,710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 307-312

在线出版日期: 2014-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）