C波段高功率八胞GaN基HEMT的相关研究
本文使用一款20mm栅宽SiC衬底GaN HEMT，重点研究微波高功率器件GaN HEMT的内匹配电路设计制造以及外围测试电路方法，成功制成了八胞合成HEMT，有效的解决了管芯低阻抗给功放电路设计带来的困难,同时设计了一套完整的设计-调试-测试方案，制成的八胞HEMT经过封装在5.5G频点下有着15dB的稳定增益以及较高的输出功率，同时在400MHz频带宽度内有1.58的增益平坦度。输出端匹配电路的低通结构也可以确保高频谐波得到一定的抑制，与仿真结果吻合较好,经室温环境下测试证实其完全可应用于设计制造实际通信系统.
场效应晶体管 氮化镓 电路设计 内匹配技术
董梁 马晓华
西安电子科技大学宽带隙半导体技术国防重点学科实验室,陕西 西安 710071
国内会议
西安
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313-318
2014-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）