浮结浓度对SiC UMOSFET击穿电压的影响

摘要：

文章利用ISE软件进行了浮结(FJ)浓度的变化对SiC UMOSFET击穿电压影响的仿真,分析了FJ浓度变化通过对UMOSFET器件内部电场分布的影响,给出了击穿电压和FJ掺杂浓度的关系,仿真结果表明,当FJ浓度满足槽栅拐角处的电场峰值和FJ与下漂移区的PN结处电场峰值大致相等时,SiC UMOSFET器件的击穿电压最大,在最优的掺杂FJ掺杂浓度下器件的击穿电压达到了约1600V.

关键词： 金属-氧化物-半导体器件 碳化硅 浮结浓度 击穿电压

作者: 蒋明伟 汤晓燕 宋庆文 张玉明 张义门 何艳静

作者单位: 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西 西安 710071 西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西 西安 710071;西安电子科技大学先进材料与纳米材料学院,陕西 西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 319-321

在线出版日期: 2014-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）