β-FeSi2/4H-SiC PIN近红外光电二极管的实验研究
本文采用磁控溅射FeSi2合金靶、Si靶和Al靶共镀加后续快速退火工艺在4H-SiC衬底上制备了β-FeSi2/4H-SiC PIN光电二极管.采用Keithley6517静电计和探针台组成的集成系统对β-FeSi2/4H-SiC PIN光电二极管的J-V特性进行测试,发现β-FeSi2/4H-SiC PIN光电二极管在无光条件下加-5V偏压时产生的暗电流密度约为1.8×10-3A/cm2,而在光照(1.31μm@5mW)下的电流密度约为1.0×10-2A/cm2,光暗电流的比值由β-FeSi2/4H-SiC PIN光电二极管的3.5 提高到5.6,反向漏电流由1.0×10-2A/cm2降低到1.8×10-3A/cm2,PIN结构中本征β-FeSi2层的引入,可以改善光电二极管的暗电流特性.
PIN光电二极管 碳化硅 β-硅化铁 磁控溅射法 退火工艺 光电特性
郑春蕾 陈曦 李虹 蒲红斌
西安理工大学自动化学院,军民两用集成电路设计中心,陕西 西安,710048
国内会议
西安
中文
327-331
2014-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）