硅基半导体集成电路失效分析研究
本文结合典型硅基半导体集成电路的失效电路分析,讨论了闩锁效应、过电应力、静电应力等常见失效机理对硅基半导体集成电路的影响.文章首先从理论角度介绍了硅基半导体集成电路的常见失效机理,并对其分析失效原因进行了分析.最后,结合典型失效案例,对应用中出现的失效情况进行分析并提出相应改进措施：对于闩锁效应，通过在老化板外围加滤波电容减小电源噪声的影响来解决，而且对于多电源系统，上电顺序不当很容易引发门锁，因此必须控制各电源的建立和稳定时间，保证低电压的建立要早于高电压，在老化过程中应避免各组电源延迟对电路的影响；EOS失效和ESD失效是由于周围环境存在的静电及使用过程中操作不当引入的过压或者过流应力等，均会导致器件失效。因此器件测试和应用过程须保证在安全范围内，避免误操作导致的失效，设计中尽量采用完善的保护器件，减小外界应力对器件的损伤。
硅基半导体集成电路 闩锁效应 过电应力失效 静电应力失效
黄炜 付晓君 罗俊 刘凡 刘伦才
中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆 400060 中国电子科技集团公司 第二十四研究所,重庆 400060;西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安 710071
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340-344
2014-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）