GaAs D触发器单粒子效应的仿真

摘要：

目前,电路级单粒子效应仿真主要使用Hspice软件或者Hspice与Dessis的混合模拟仿真,但是GaAs HBT数字电路大多是在ADS中设计.本文使用Verilog软件建立了脉冲电流源模型模块,给出了使用ADS软件对GaAs D触发器进行单粒子翻转仿真的方法,获得了GaAs D触发器翻转时的临界电荷,翻转宽度随电荷量的变大而变宽.

关键词： D触发器 砷化镓 单粒子效应 临界电荷

作者: 周威 吕红亮 张玉明 张义门 刘敏

作者单位: 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西 西安710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 351-354

在线出版日期: 2014-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）