Ka波段12W GaN功率放大器MMIC

摘要：

本文采用国产外延材料及0.15μm GaN HEMT工艺,突破了Ka波段GaN功率MMIC的设计、工艺、测试等关键技术,研制成功Ka波段12W GaN功率放大器MMIC.电路采用三级级联放大结构,采用了功率分配及合成匹配网络,采用阻性网络消除奇模振荡,输入输出阻抗均为50Ω.电路在34GHz～36GHz下,输出功率大于12W,增益大于15dB,附加效率大于20％.

关键词： 功率放大器 单片微波集成电路 结构设计 氮化镓 高电子迁移率晶体管

作者: 杜鹏搏 张务永 张力江 王彪 张志国 武继斌 尹甲运 胡志富 付兴昌

作者单位: 中国电子科技集团公司第十三研究所, 中国 石家庄050051

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 415-419

在线出版日期: 2014-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）