一种电流复用差分射频低噪声放大器
本文提出了一种的电流复用差分低噪声放大器结构.NMOS和PMOS晶体管对复用同一路静态电流.普通的电流复用差分低噪声放大器同时在NMOS管和PMOS管上采用源端电感负反馈形成输入级.在提出的这个结构中,只有PMOS晶体管是源端负反馈的来实现输入阻抗匹配,没有源端电感负反馈的NMOS管被加上用来提高低噪声放大器整体的跨导.采用标准0.35μm CMOS工艺设计,它实现了20.6dB的增益、1.25dB的噪声系数以及-6.5dB的IIP3.在1.8V电源下,它消耗7.6毫安电流.在不同偏置情况下的仿真结果表明增加NMOS晶体管的偏置可以提高低噪声放大器的增益,降低噪声系数,同时对输入阻抗的影响很小.
低噪声放大器 结构设计 源端电感负反馈 电流复用 互补金属氧化物半导体工艺
樊晓华 王明华 张明磊 梁帅
中国科学院微电子研究所,北京100029;南京中科微电子有限公司,江苏南京210000 中国科学院微电子研究所,北京100029
国内会议
西安
中文
477-481
2014-06-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)