八管存储单元的SRAM32X64设计

摘要：

本文基于40nm工艺设计了一款SRAM32X64的高性能存储器,采用电路优化设计和全定制的版图布局布线,时序分析和功能验证.新型的存储单元采用读写分开的策略,这样就不存在因工艺偏差带来的稳定性差的问题,而且在功耗、面积及执行性能上都有很大的提高,尤其是CMOS工艺尺寸越小,这种优势就越明显.

关键词： 静态随机存储器 存储结构 电路设计 版图布局

作者: 卿舟 李振涛 陈书明

作者单位: 国防科技大学计算机学院 长沙 410073

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 514-518

在线出版日期: 2014-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）