耐高压输入/输出接口电路的设计
本文基于45nm体硅CMOS工艺设计了一款耐高压输入/输出接口电路,其中包括Level-Up电平转换电路,Level-Down电平转换电路,耐高压电路和输出驱动电路.Level-Up电平转换电路使用了NativeNMOS来解决传统电平转换电路存在的问题,该器件是CMOS工艺下的标准器件,因此不会引入额外的掩膜工序,该电平转换电路的传播延时在最坏情况下仅为200ps,而且不需要消耗静态功耗,所以特别适用于亚微米高速低功耗电路中.Level-Down电平转换电路采用两个串联的NMOS将PAD上的电压钳位在1.2V从而保证其他MOS管不会受过电压应力.最后,输出驱动电路的设计除了考虑输出信号在翻转过程中PMOS和NMOS同时导通造成额外的功率损耗之外,还考虑了如何有效避免SSO噪声.
输入/输出接口电路 结构设计 电平转换 互补金属氧化物半导体工艺
曹宏涛 邢座程 李振涛
国防科技大学计算机学院,湖南 长沙 410073
国内会议
西安
中文
519-524
2014-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）