良率导向的近阈值SRAM系统设计
静态随机存储器(SRAM)作为最主要的存储器之一,是现代SoC中的关键部分.其功耗以及稳定性等各方面性能是整个芯片性能的关键因素.半导体工艺进入纳米级以后,参数波动越来越大,漏电流功耗也越来越大.这使得SRAM的设计在稳定性、功耗等方面面临新的问题.这就需要考虑良率进而找到新的更全面的权衡设计.本文,以8管结构为例,提出一种由充分的良率分析作为导向的近阈值SRAM低功耗系统设计.实验结果表明,在40nm工艺下,最终的设计可以工作在近阈值工作电压下,并在1M的阵列中仍保持80％的良率.
静态随机存储器 结构设计 近阈值 良率
蒋承志 叶佐昌 王燕
清华大学微电子与纳电子学系,北京 100084
国内会议
西安
中文
550-553
2014-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）