低温漂的CMOS带隙基准电压源
基于传统的带隙基准源的电路结构设计了一种自启动的CMOS带隙基准电压源,利用自偏置结构的电流镜减小电路的工作电流,降低芯片功耗,大幅度缩小芯片面积;在双极型晶体管的附近并联电阻,实现输出电压的可调节.该电路主要包括带隙基准核心电路、自偏置电流镜,二级运放以及自启动电路.基于CSMC0.5μmCMOS工艺,利用Spectre仿真结果显示,带隙基准电压源输出1.2V的基准电压,静态功耗为32.7μW,且在-20℃～140℃温度范围内,温漂系数为3.125ppm/℃,电源电压在2V～4V之间变化时,电源抑制比为59.172dB.
互补金属氧化物半导体 带隙基准电压源 电路结构 版图设计 性能仿真
岳恒 吴金山 赵菲菲 徐跃
南京邮电大学电子科学与工程学院,南京210003
国内会议
南京
中文
290-298
2013-05-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）