基于气隙技术的射频同轴TSV的电特性分析
(0) 面向MEMS,射频等多种应用的三维集成电路系统中均需要层与层之间的高速垂直通信.本文介绍了一种适应于这种高速应用的新型气隙同轴TSV互连,详述了制作该互连的工艺流程,通过场分析方法提取了其RLGC解析模型.本文通过三维场求解器的S参数仿真实验验证了该模型的有效性:在选取不同半径、外内径比率以及SU-8介质材料中心角条件下,对比结果显示特征阻抗的误差均未超过6‰.由于该解析模型的结构参数具有等比例缩放特性,本文推演分析了多种气隙同轴TSV结构的电特性,与传统同轴TSV结构相比,其带宽性能可提升1.6至4倍.新型气隙同轴TSV互连为三维集成电路系统提供了一种有效的垂直射频互连解决方案.
三维集成电路系统 穿通硅通孔 气隙技术 射频同轴结构 互连工艺
余乐 杨海钢 孙嘉斌 张春红 王一 王照新
中国科学院电子学研究所 北京 100190;中国科学院大学 北京 100190 中国科学院电子学研究所 北京 100190
国内会议
南京
中文
361-378
2013-05-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）