P+P-top层SOID-RESURFLDMOS高压器件新结构
提出了PP+P-top层SOID-RESURFLDMOS高压器件新结构.通过在漂移区中部引入一重掺杂的P+P区,其在PP+P结处产生一个附加的电场峰值,从而优化了漂移区的表面电场分布.并通过二维器件仿真软件MEDICI仿真了P+P区的结构参数对器件击穿电压与导通电阻的影响.结果表明,在相同的器件结构参数下,与传统S-RESURF和D-RESURF器件结构相对比,击穿电压可以分别从385.8V、410.4V提高至430.8V,导通电阻可分别降低45.4％和25.8％,从而使得器件的FOM(BV2/Rsp)值可分别提高127.8％和48.3％,较好的改善了器件的性能.
横向双扩散金属氧化物半导体器件 结构特征 击穿电压 导通电阻 电场分布
徐光明 郭宇锋 花婷婷 黄示
南京邮电大学 电子科学与工程学院,江苏 南京 210003
国内会议
南京
中文
379-382
2013-05-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）