漂移区部分氧化柱体硅LDMOS

摘要：

本文提出了一种漂移区部分氧化柱体硅LDMOS.此结构将N型漂移区用N型硅柱和氧化柱相互交替来代替,利用氧化柱对漂移区电场的调制作用改善电场分布,从而提高器件击穿电压.三维器件仿真软件Davinci仿真结果表明在漂移区厚度为0.5μm时,该结构较常规体硅LDMOS结构击穿电压提高了24.4％,而且可以使漂移区掺杂浓度提高74.2％,从而降低漂移区电阻.

关键词： 横向双扩散金属氧化物半导体器件 氧化柱体硅 击穿电压 电场分布 漂移区

作者: 黄示 郭宇锋 姚佳飞 徐光明

作者单位: 南京邮电大学 电子科学与工程学院,南京 210003

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会电路与系统学会第二十四届年会

会议地点: 南京

会议语种:中文

页码: 383-389

在线出版日期: 2013-05-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）