极紫外光刻光源研究进展
自1986年极紫外光刻技术(Extreme ultraviolet lithography,EUVL)被提出,极紫外光刻光源的研发一直是实验室和半导体制造工业界的一个热点,商业化设备的发展已取得了长足的发展.由于多层Mo/Si反射镜在13.5nm波长上2％带宽内(”内带”)能够获得70％以上的反射率,13.5nm的EUV光源作为下一代光刻光源的理想选择.可选的靶材包括:Li(Li2+,1s-2p 跃迁)、Xe(Xe10+,4d8-4d75p 跃迁)和Sn(Sn8+-Sn14+,4p64dn-4p54dn+1+4dn-14f跃迁,1≤n≤7).Li是线状谱,Xe的4p64dn-4p54dn+1+4dn-14f跃迁组峰值在11nm附件,所以Sn是目前获得13.5 nm EUV光源的最理想靶材.尽管EUV光刻技术由于光源转化效率(Conversion efficiency,CE)不高和掩膜研发等方面的问题而一再延迟,有望于2017年底投入量产.随着13.5 nm EUV光刻光源研究的逐渐成熟，2009年，世界上最大的光刻机生产商一荷兰ASML公司宣布需要研发新的超极紫外光刻光源来延续极紫外光刻技术。随后6x nm光刻光源的研究成为了一个热点问题。这主要由于La/B/1C多层反射镜在6.7nm处0.06%带宽的反射率为20%。稀土元素Gd(2=64)和Tb(2=65)在6.7nm附件产生强的窄带共振辐射（n=4-n=4不可分辨跃迁组）而一度被认为是理想的靶材。目前，实验室报道的最高转化效率为0.8%。但是，6.xnm超极紫外光刻光源仍面临着严峻的挑战:一方面是多层反射镜内带的带宽非常窄（只有0.6%，相比于13.5 nm波段的2%带宽），另一方面，是光源的转化效率太低。本文将将回顾极紫外光刻光源的现状、挑战与机遇。
半导体 极紫外光刻技术 光刻光源 转化效率
李博文
兰州大学核科学与技术学院,兰州 730000;兰州大学特殊功能材料与结构设计教育部重点实验室 兰州 730000
国内会议
全国第二十次原子、原子核物理研讨会暨全国近代物理研究会第十三届学术年会
西宁
中文
35-35
2014-08-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）