单层二维Ta2O5中电子缺陷能级的研究

摘要：

二维原子层状材料是近期的研究热点,但是这些研究多数集中于场效应晶体管的沟道材料如单层MoS2、单层WS2等,单层栅极绝缘层材料如TiO2、Ta2O5等极少得到报道.利用Ta2O5纳米片集聚形成单层Ta2O5,其电学性能受到存在于Ta2O5中的电子缺陷非常严重的影响.因此,(椭偏法)被用于计算两个不同的氧空位的跃迁能量及对应的几率,X射线光电子能谱分析揭示了氧空位的存在.椭偏拟合同样计算出了单层Ta2O5的厚度,与原子力显微镜测量结果符合得非常好.利用非接触和非破坏性的椭偏法探测单层Ta2O5的电子缺陷是可行的.

关键词： 二维原子层状材料 五氧化二钽 纳米片 电子缺陷

作者: 李大海 宋雄飞 胡林枫 王子仪 张荣君 周鹏 陈良尧 张卫

作者单位: 复旦大学信息学院光科学与工程系,上海200433,中国 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海200433,中国 3复旦大学材料科学与工程系,上海200433,中国

会议类型: 国内会议

会议名称: 上海市激光学会2015年学术年会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 103-103

在线出版日期: 2015-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）