实验条件对PLD方法制备的CdS纳米针形貌、结构及生长模式的影响
近年来,由于纳米尺度材料与纳米薄膜以及常规体材料相比表现出的优异性质,包括纳米线、纳米棒、纳米管等在内的半导体纳米材料越来越受到研究者的广泛关注,使得它们在材料科学以及应用方面得到了极大的发展.在众多半导体材料中，CdS受到格外关注。因为CdS是一种直接带隙的宽禁带半导体材料，具有非常好的光学和电学性质，可以应用在发光二极管、光学传感器、光催化剂、太阳电池的窗口层或者吸收层以及混合型太阳电池的电极。相较于CdS薄膜，纳米颗粒、纳米线、纳米针等CdS纳米材料由于其大的表面积和可能存在的量子限制效应，具有更高的光电灵敏性和更高的效率。制备CdS纳米线的方法主要包括:电化学沉积,溶液法，化学和物理气相沉积等。在这些方法中，脉冲激光沉积法(PLD)是合成包括II-VI族半导体在内的多元复合物的一种简单而有效的方法，在这种方法中，制备材料的生长速度很容易通过脉冲激光的能量和频率调节实现，同时由于激光烧蚀等离子体的方向性，得到的薄膜通常是干净无污染的。
半导体材料 硫化镉 纳米针 脉冲激光沉积法 生长模式
李惠 陈立 赵雨 刘徐君 关雷雷 孙剑 吴嘉达 许宁
复旦大学光科系,上海市杨浦区邯郸路220号复旦大学光学楼117室,200433
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2015-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）