ZnO基Ⅱ型核/壳异质纳米阵列的光学特性

摘要：

在各种半导体纳米材料中,Ⅱ-Ⅵ族ZnO纳米材料具有直接带隙宽(3.37eV)、激子束缚能大(室温下60meV)、电子迁移率高(200cm2V-1S-1)以及无毒性、易制备等优良特性,这使得ZnO在光电子和光催化等领域有着潜在的应用价值.但是由于其带隙宽,ZnO本身不能吸收和利用可见光,这极大地限制了ZnO在可见光区域的应用.为了扩展ZnO基器件的光响应范围以及提高ZnO基器件的光催化和光伏效率,尝试在ZnO纳米棒外表涂覆CdS或ZnSe薄层,形成了以ZnO纳米棒为核芯、以CdS或ZnSe为壳层的Ⅱ型ZnO/CdS或ZnO/ZnSe核/壳纳米异质阵列.通过对两种结构的光吸收和光发射特性的研究,发现制备的ZnO/CdS和ZnO/ZnSe核/壳阵列相较于裸ZnO阵列具有更宽的光响应范围、因而可望获得更高的光伏效率.

关键词： 半导体材料 氧化锌 制备工艺 纳米棒阵列 光学特性

作者: 杨旭 杨琴 吴嘉达

作者单位: 复旦大学光科学与工程系,上海200433 贵州民族大学理学院,贵阳5500225

会议类型: 国内会议

会议名称: 上海市激光学会2015年学术年会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 106-106

在线出版日期: 2015-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）