ZrO2薄膜光学带隙及电子缺陷的厚度依赖特性的椭偏研究
随着电子器件持续向小型化发展,具有高介电常数的金属氧化物超薄膜因其可用于下一代MOS电容/场效应晶体管的绝缘栅极层以及闪存中的电荷俘获层而受到越来越多的关注.高k氧化物薄膜在实际应用时需具备合适的带隙和较少的电子缺陷.ZrO2薄膜作为一种高k金属氧化物,介电系数约为25,带隙为5.0-6.2 eV.然而,对于纳米超薄尺度下,ZrO2的带宽尺寸效应至今尚存争议;同时,尽管体材料的点缺陷在理论和实验上均有报道,但纳米ZrO2薄膜的电子缺陷以及相关的厚度影响却鲜有研究.这一工作,是结合椭圆偏振(SE)光谱测量和点对点数据反推方法,来获取一系列ZrO2超薄膜的光学常数,从而分析得到其光学带宽和电子缺陷的厚度依赖特性.
电子器件 二氧化锆薄膜 椭圆偏振技术 光学带宽 电子缺陷
许骥平 陈良尧 张荣君 张远 王子仪 陈磊 黄清华 卢洪亮 郑玉祥 王松有
复旦大学光科学与工程系 复旦大学专用集成电路国家重点实验室,上海200433 中国工程物理研究院电子工程研究所,四川621900
国内会议
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2015-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）