衬底对ZnO薄膜特性的影响

摘要：

氧化锌(ZnO)是一种新型的直接宽禁带(3.37ev)半导体材料.由于其优良的物理性能,在压电转换、太阳能电池、传感器以及集成电子器件等领域有着潜在的开发前景.很多研究结果表明,ZnO薄膜的光学和电学性质与薄膜质量有着直接的关联.而薄膜质量又与其衬底材料密不可分.目前,很多研究者通过在Si衬底和ZnO薄膜间添加缓冲层或换用其他衬底材料,以期提高ZnO薄膜的质量.

关键词： 半导体材料 氧化锌薄膜 衬底材料 硅元素

作者: 翟晨慧 袁明权 孙远程 王子仪 唐彬 张荣君

作者单位: 复旦大学信息学院光科系与工程系,上海200433 中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621900

会议类型: 国内会议

会议名称: 上海市激光学会2015年学术年会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 173-173

在线出版日期: 2015-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）