低补偿p型GaN的变温霍尔研究

摘要：

本文利用变温霍尔测试研究了MOCVD生长GaN∶Mg样品的电学特性,并对空穴浓度随温度的变化进行了理论拟合,研究结果表明生长的GaN∶Mg样品的施主受主补偿比很低,接近0％,认为低补偿比是由于样品中的C杂质浓度较低.

关键词： p型氮化镓 镁掺杂 电学特性 补偿比 杂质浓度 变温霍尔测试

作者: 田爱琴 张书明 李德尧 张立群 杨辉 刘建平 池田昌夫 李增成 冯美鑫 周坤 温鹏雁 张峰 胡威威

作者单位: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,中国科学院纳米器件与应用重点实验室,苏州215123

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 138-141

在线出版日期: 2014-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）