气相沉积聚酰亚胺/Cr复合薄膜在GaN HEMTs中的应用
本文采用气相沉积聚合法制备了聚酰亚胺/Cr复合薄膜,薄膜成份的面扫描分析结果显示:纳米尺度的金属Cr颗粒均匀分散在聚酰亚胺基体内,随着金属颗粒体积百分数的增加,薄膜介电常数增加,当金属颗粒的体积百分数超过约10％时,薄膜介电常数和电导率都急剧增大.作为一种高介电常数材料,本文将其应用于对GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)的钝化,实验结果显示:采用高介电常数材料钝化的GaN HEMTs,其击穿电压获得了显著提高,从而为研制高压GaN HEMTs器件探索了一条可行的技术路线.
氮化镓高电子迁移率晶体管 复合薄膜 聚酰亚胺 铬元素 气相沉积聚合法
褚夫同 刘兴钊
电子薄膜与集成器件国家重点实验室,电子科技大学,成都,610054
国内会议
贵阳
中文
149-151
2014-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）