采用晶格异变缓冲层在GaAs上生长的InP外延层性质的研究

摘要：

采用低压金属有机物化学气相沉积(LPMOCVD)在不同偏角GaAs衬底上通过AlxGa1-x-yInyAs晶格异变缓冲层生长了InP外延层.并用高分辨X射线衍射仪(XRD),原子力显微镜(AFM)以及光致发光(PL)对材料的结晶质量、表面形貌和光学性质进行了表征.结果表明,在15度偏角衬底上采用组分步进的AlxGa1-x-yInyAs缓冲层生长的InP外延层表面形貌更好且发光更强.

关键词： 砷化镓衬底 磷化铟外延层 晶格异变缓冲层 结晶质量 表面形貌 光学性质

作者: 何洋 孙玉润 李奎龙 曾徐路 董建荣

作者单位: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,中国科学院纳米器件与应用重点实验室,江苏苏州215123;中国科学院大学,北京100049 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,中国科学院纳米器件与应用重点实验室,江苏苏州215123

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 154-159

在线出版日期: 2014-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）